леммлеиновская, отчетливо проявляются на стереографической диаграмме (рис. 83), на которой суммированы данные по искажению кристаллов кварца из различных месторождений Приполярного Урала и Памира. Первичная субгоризонтальная ориентировка осей [0001 ] этих кристаллов проверялась по распределению «присыпок» или другим признакам. Характер и интенсивность искажения фиксируются степенью отклонения суммарного вектора площадей ромбоэдрических граней (2 К) от выхода тройной оси, с которой он совпадает в случае идеального развития всех граней кристалла. На диаграмме резко выделяются два поля сгущения векторов — верхнее и нижнее, как раз соответствующие двум типам искажения кристаллов. Эта двойственность искажения нередко интерпретируется преимущественным подтоком вещества к растущему кристаллу в первом случае сверху, во втором — снизу в результате быстрого восходящего движения растворов (Алексеева, 1957; Кукуй, 1966), Геологические и экспериментальные данные, однако, противоречат подобной интерпретации (Вертушков, 1958; Юшкин, 1971г). На форму кристаллов оказывает влияние не столько движение самого раствора, сколько характер, интенсивность и направление перемещения растворенного вещества в нем. Оба типа кристаллов формируются в неподвижном растворе, характеризующемся одним и тем же гравитационным осаждением частиц. Будут ли при этом кристаллообразующие частички преимущественно присоединяться к верхней части кристалла и стимулировать его аномальный рост вверх или, наоборот, к нижней, зависит от особенностей взаимодействия кристалла и частицы, определяющихся при прочих одинаковых условиях диаметром частиц. Б. В. Дерягиным и Л. П. Смирновым (1967) разобраны условия осаждения незаряженных частиц, находящихся в стоксовском гравитационном потоке, на сферическое тело радиуса а под действием ван-дер-ваальсовских сил. При этом учитывалось сопротивление сближению со стороны вязкой прослойки между телом и частицей. Распространяя эти данные на случай кристалла и вводя ряд дополнительных условий (Юшкин, 1971г), можно вывести уравнение предельной траектории, отделяющей захватываемые и незахватываемые растущим кристаллом кристаллообразующие частички: 8 а г ■ 81П 9/2 ’ где 8 — расстояние между кристаллообразующей частицей и поверхностью кристалла; а — коэффициент ван-дер-ваальсовского взаимодействия, равный Аг/9 (4«10-12 эрг); V — скорость оседания кристаллообразующих частиц; а — расстояние от центра кристалла до внешней границы поля дальнодействия центров роста; г — радиус частицы, 0 — угол между вертикалью, проведенной через центр кристалла, и линией, соединяющей центр кристалла с центром частицы. 208 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=