Важнейшие результаты научной и научно-организационной деятельности ФИЦ Коми НЦ УрО РАН: Альманах 2025.

Защита диссертации на соискание ученой степени доктора геолого-минералогических наук ЗАЩИТА ДИССЕРТАЦИЙ диссертант ПИСКУНОВА Наталья Николаевна Старший научный сотрудник лаборатории экспериментальной минералогии Института геологии 01.6.4.24.17196 ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет» 199034, г. Санкт-Петербург, Университетская набережная, д. 7/9 Специальность 1.6.4. - Минералогия, кристаллография. Геохимия, геохимические методы поисков полезных ископаемых Научный консультант - академик РАН, д.г.-м.н. А. М. Асхабов Защита состоялась 10 апреля 2025 г. Тема диссертации ПОСЛОЙНЫЙ РОСТ И РАСТВОРЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ НА ДЕФЕКТАХ Описание научного результата. С помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены экспериментальные исследования и установлены особенности роста кристаллов на микро- и наноуровне. Впервые в наномасштабе зарегистрировано явление прорастания дислокации, а также процессы на границе срастания кристаллов, в области трещин, и на сжатых с противоположных сторон гранях. Доказано влияние перечисленных факторов на возникновение разных типов дефектов структуры в приповерхностных слоях кристаллов, определены механизмы влияния таких дефектов на морфологию поверхности, динамику и кинетику процессов кристаллизации в микро- и наномасштабе. Предложен трехстадийный механизм возникновения винтовой дислокации при внедрении инородных частиц. Для снятия данных с изображений АСМ разработан авторский метод, позволяющий проводить масштабные кинетические расчеты. С их помощью рост и растворение в наномасштабе доказаны как необратимые процессы, а также установлено, что нанесение на кристалл царапин провоцирует флуктуационно-диссипативную перестройку поверхности и возникновение автоколебаний скорости. Значимость. Прямое слежение за процессами роста кристаллов в наномасштабе важно для решения задач кристаллогенетического моделирования и промышленного получения на его основе качественных кристаллов для разных отраслей, от энергетики и оптоэлектроники до фармакологической промышленности. А Б С.н.с. Н. Н. Пискунова заполняет раствором ячейку и устанавливает ее в сканирующий блок атомно-силового микроскопа. Стрелками показаны внедрение примеси (А) и граница двойников (Б). 20 Коми научный центр Уро РАН

RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=