Сложный характер разрушения кристалла при царапании затрудняет выбор меры твердости. Как уже указывалось, за нее принимают: а) нагрузку на острие, при которой появляется царапина; б) усилие протягивания; в) отношение вертикальной Рис. 69. Распределение дислокаций под царапинами, проведенными на грани (001) кристалла галита. а — вдоль [100]; б — вдоль [ПО]. б нагрузки к площади проекции контактной поверхности на плоскость образца; г) отношение вертикальной нагрузки к площади самой поверхности контакта образца с наконечником; д) отноРис. 70. Схема основных плоскостей, по которым развивается скольжение в кристаллах галита. а — при царапании вдоль [100]; б — при царапании вдоль [110]. шение работы царапания к объему царапины. Одинаковые результаты дают лишь пины пирамидой щению нагрузки Н р равна Н = три последние способа. Если при ширине цара- Виккерса (Ь) твердость, определяемая по отно- к площади проекции контактной поверхности, то по отношению нагрузки к площади самой поверхности контакта она выразиться как Н = ^/^0322° • Теорети106 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=