ная на единицу площади растягиваемого образца, называется напряжением а. В условиях стационарного равновесия Р ° = Т ' где 5 — площадь поперечного сечения кристаллического цилиндра. Поведение кристалла при растяжении наглядно иллюстрируется диаграммой растяжения, по вертикальной оси которой откладывается напряжение, а по горизонтальной — относительное удлиа -<У -е 0 . В > с / 1 'о" ! 1 _ 1 г / 1 Растяжение 1 ! +е 5 б Сжатие 1*- чэ 1 е 0 с, Рис. 1. Схема кривой растяжения и сжатия пластичного материала. На кривой (б) в отличие от (а) присутствует «зуб текучести». ОА — область упругой деформации; АС — область пластической деформации; — предел упругости; <гт — предел текучести; аТ] — верхний предел текучести; аТг — нижний предел текучести. нение (деформация) е=-у- (рис. 1 а). Кривая, построенная в этих координатах, характеризует свойства кристалла и не зависит от геометрической формы образца. На начальных стадиях растяжения напряжения в кристалле растут примерно пропорционально с ростом деформации, поэтому кривая на участке О А характеризуется прямолинейншм’отрезком. Деформация в пределах этого участка обратима и полностью снимается при снятии нагрузки, поэтому ее и называют упругой деформацией. Максимальное напряжение, до которого кристалл сохраняет упругие свойства, называется пределом упругости а8. Нагрузки, превышающие предел упругости, вызывают уже остаточные деформации кристалла, и его удлинения при этом быстро увеличиваются, уменьшая наклон кривой а—е по отношению к оси е (участок АВ). Некоторые кристаллы на этом участке кривой дают горизонтальную^пло- щадку (рис. 1, а), называемую площадкой текучести. Она характеризует момент, когда удлинение кристалла растет без увеличения 10 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=