Степень совершенства спайности этими методами определяется: визуально. Метод микровдавливания более универсален.. Он позволяет по нанесенному под давлением уколу на какую- либо кристаллографическую поверхность обнаружить все системы спайности, пересекающиеся с этой поверхностью. Исследование производится следующим образом. На грань кристалла наносятся серии различно ориентированных отпечатков алмазной пирамиды под несколько избыточной нагрузкой. Вокруг отпечатРис. 96. Трещины вертикальной наклонной (а—в) и горизонтальной (г) спайности около отпечатков. ков возникают трещины двух типов:: трещины спайности, являющиеся следами выхода на грань плоскостей, спайности, и неровные трещины хрупкого разрыва. Отличить их друг от друга несложно. Спайные трещины всегда прямолинейны, множественны,, параллельны друг другу (рис. 96).. Нужно иметь в виду, что трещины спайности иногда, например в кубических кристаллах, не выходят за пределы отпечатка. Спайность, параллельная поверхности грани, фиксируется в виде концентрических трещин, замыкающихся вокруг отпечатка. Измеряя углы между трещинами и каким-либо фиксированным кристаллографическим направлением на грани, можно определить и кристаллографическую их ориентировку. Повторение наблюдений на нескольких гранях позволяет от плоскостной картины перейти к объемной и установить, таким образом ориентировку плоскостей спайности. Степень (или коэффициент) совершенства спайности а определяется количеством спайных трещин (в процентах) от общего числа трещин. Если спайность фиксируется в нескольких кристаллографических направлениях, то за 100% принимается сумма спайных трещин конкретного направления и трещин другого п р оисх ождения : пЛк1 + Щр “л,М> и т. д., где «— степень совершенства спайности {ЛА7}; пМ1— количество спайных трещин {/М} около отпечатков; щ.р — количество трещин, не связанных со спайностью, 166 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=