(1962). На рис. 111 показано, по А. А. Анлыбакову и Ы. ПТамыр- канову (1967), изменение твердости кристаллов фтористого натрия в зависимости от дозы рентгеновского и гамма-облучения. По мнению А. М. Косевича и др. (1967), подтвержденному экспериментальными данными, в результате радиационного воздейст0 1 2 3 Ч 5 Рентген Рис. 111. Зависимость твердости кристаллов фтористого натрия от дозы рентгеновского (а) и гамма- облучения (б). Рис. 112. Радиационное упрочнение областей кристаллов галита, предварительно упроч- пенпых пластической деформацией (время облучения 10 час.), по данным Ю. С. Боярской. I — расстояние от стороны отпечатка, нанесенного при Р—200 Г; 1 — твердость до облучения; 2 — твердость после облучения. вия увеличивается число точечных дефектов в кристалле (вакан- ский и междоузлий). Скопления этих точечных дефектов приводят к созданию дополнительных радиационных центров генерирования дислокационных петель. Характер и количество последних в кристалле определяется типом облучения. Тяжелые ядерные частицы, к примеру осколки деления ядер, а также нейтроны и электроны высоких энергий вызывают смещение атомов решетки, которые в свою очередь смещают другие атомы, создавая области с разупорядоченной решеткой. Эти области называются пиками смещения. Именно в таких областях образуются скопления точечных дефектов, которые приводят к появлению дислокационных петель. Значительная часть энергии бомбардирующих частиц' и первичных смещенных атомов сохраняется в виде энергии возбуждения, которая переходит в тепло. Область с аномально увеличенными колебаниями решетки называется температурным пиком. Если эта область занимает приблизительно атомный объем, она носит название термического пика. Облучение заряженными частицами (протонами, дейтронами), а также рентгеновскими и у-лучами вызывает появление главным образом электронных дефектов, в частности центров окрашивания. Радиационные дефекты упрочняют кристаллы, причем степень 203 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=