именьшим сопротивлением сдвигу. В структуре кристаллов плоскостями скольжения обычно являются плоскости, наиболее густо усеянные атомами и имеющие наибольшее межплоскостное расстояние (обычно это плоскости кристалла с высокой степенью симметрии), направлениями скольжения — направления с наименьшим межатомным расстоянием. Скольжение вдоль этих плоскостей и направлений осуществляется наиболее легко, так как происходит при минимальном нарушении в расположении атомов. Смещение кристаллических слоев может происходить как в данном направлении, так и в противоположном (соответственно растяжению или сжатию кристалла). Макроскопически пластическая деформация скольжением происходит путем смещения тонких кристаллических слоев по элементам скольжения (рис. 9). Величина смещения при трансляционном скольжении может быть различной в зависимости от степени деформации, но обязательно кратной параметру решетки. Поэтому при идеальном трансляционном скольжении сместившиеся кристаллические слои не выходят из положения полного взаимного соответствия, и кристаллическая решетка не нарушается. На поверхности деформированного образца возникают выступы в виде ступенек (штриховка скольжения). В зависимости от симметрии и структуры кристалла возможно несколько систем скольжения, которые легко установить из анализа структуры минерала. В «Системе минералогии» группы американских авторов (Дж. Дэна и др.) и советском справочнике «Минералы» содержатся данные по скольжению для многих минеральных видов. Сводка данных ' имеется в работах М. В. Классен-Неклюдовой (19606) и'Д. П. Григорьева (1961). Примеры систем скольжения для некоторых минералов приведены в табл. 11. В кубических кристаллах с гранецентрированной решеткой плоскостью скольжения обычно является грань октаэдра (111), направлением скольжения — пространственная диагональ (111), в гексагональных кристаллах плоскость Т совпадает с плоскостью пинакоида {0001}, а направлением I может быть одна из трех осей, лежащих в плоскости базиса. Известны случаи, когда кристалл имеет одну плоскость скольжения, но ряд направлений I (например, галенит, слюды, гипс, синтетический рубин и др.). Скольжение материала в кристалле по данной системе скольжения начинается лишь тогда, когда скалывающее напряжение достигает критического значения . . По экспериментальным данным нормальное напряжение а не оказывает существенного влияния на сопротивление скольжению.4 В зависимости от характера и линии действия силы скольжение происходит под одной из нес4 Нормальные напряжения начинают влиять на сопротивление сколь * жению при очень больших гидростатических давлениях, порядка десятков тысяч атмосфер. 31 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=