Из других методов исследования дислокаций можно отметить поляризационно-оптический, основанный на выявлении местных искажений вокруг дислокаций по двойному лучепреломлению, и различные приемы рентгенографии (например, метод Ланга). Поляризационно-оптический метод (метод фотоупругости) успешно применяется в Институте кристаллографии АН СССР. Розетки двупреломления, отражающие концентрацию напряжений вокруг дислокаций, хорошо видны в тонких срезах кристалла, просматриваемых в инфракрасном или ' обычном поляризованном свете (Индембом, Никитенко, 1962). Интересен вопрос об источниках дислокаций. Установлено, что дислокации имеются в любом кристалле, они возникают в процессе роста любого реального кристалла. Плотность их лежит обычно в пределах от 102 д0 ю8 см-2. Дислокационную природу имеют, в частности, границы блоков с малым углом разориенти- ровки. Различные физические воздействия на кристалл (холодная прокатка, волочение, высокочастотная вибрация и т. п.) увеличивают плотность дислокаций, в которых концентрируется почти вся энергия, поглощенная кристаллом. Поэтому наблюдаются колоссальные, в тысячи и десятки тысяч раз, увеличения плотности дислокаций в пластически деформированных кристаллах. Дислокации, образовавшиеся при росте, как показали экспериментальные исследования, часто не принимают участия в деформации кристаллов, и обычно легче создаются новые дислокации, чем сдвигаются с места старые. Дислокации не являются стабильными дефектами структуры, они могут передвигаться, мигрировать в объеме кристалла. Различают два вида движения дислокаций: переползание и скольжение. Переползанием называется движение дислокации вверх или вниз по отношению к плоскости скольжения, выражающееся в удлинении или укорочении экстраплоскости. Переползание может осуществляться как путем перехода отдельных атомов из кристалла на границу экстраплоскости (рис. 18, а), так и в результате обратного процесса — удлинения вакансий из внутренних областей кристалла (рис. 18, б). Скольжением называется движение дислокации в самой плоскости скольжения от одного узла решетки к другому. При этом атомы ядра дислокации несколько перемещаются, а экстраплоскость соединяется с атомной плоскостью, находящейся под плоскостью скольжения. Соседняя атомная плоскость становится в свою очередь экстраплоскостыо (рис. 19). Так, если дислокация, возникшая у одной грани кристалла, пройдет через весь кристалл к его противоположной грани, верхняя половина кристалла сместится относительно нижней на параметр решетки. Скольжение краевой дислокации часто уподобляют перемещению складки по ковру: при перемещении складки, которая осуществляется легче, 39 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=