торых, несмотря на наличие одинаковых связей, всегда имеются в кристаллической решетке (см. разобразный выше пример со сфалеритом). Правила для гомеополярных кристаллов второй группы, в которых каждый атом характеризуется несколькими координационными числами, ближними и дальними (графит, молибденит): 1) между кристаллографическими плоскостями, по которым развивается спайность, содержатся равные количества положительных и отрицательных компонентов; 2) плоскость спайности никогда не нарушает «коротких» связей, обусловленных взаимодействием атомов на близком расстоянии. Правила для гетерополярных кристаллов, у которых не наблюдается образование радикалов (галит, флюорит, куприт, рутил, анатаз и др.): 1) спайность возникает в тех случаях, когда в решетке существуют соседние пары параллельных сеток, каждая из которых образована крупными анионами, причем между двумя сетками пары нет катионов; 2) спайность выражена тем резче, чем больше взаимное расстояние между сетками такой пары; 3) наиболее совершенные случаи спайности имеют место тогда, когда определяющие спайность пары параллельных плоских сеток являются плоскостями с плотнейшей шаровой упаковкой и поэтому наиболее удалены друг от друга. Правила для гетерополярных (ионных) кристаллов, содержащих радикалы (кальцит, арагонит, барит, ' топаз, оливин, берилл и др.): 1) спайность никогда не разделяет радикалы; 2) направление спайности определяется парами плоскостей, выполненных анионами, и только в случае отсутствия таких плоскостей направление спайности определяют большие катионы; 3) если намечается две системы спайности, то существуют две возможности: а) если расстояния между соответствующими парами анионных плоскостей неодинаковы, то возникает только спайность, отвечающая максимальному расстоянию между анионами; б) если расстояние между парами анионных плоскостей примерно одинаково для нескольких семейств плоскостей, то вдоль этих плоскостей возникает спайность. Механизм изломов по плоскостям спайности, определяется неравномерным распределением напряжений в теле разрушающегося кристалла, обусловленным структурными факторами. Плоскости спайности являются наиболее слабыми плоскостями кристалла. Прочность кристалла в направлении какой- либо кристаллографической плоскости определяется частным сопротивлением разрыву чкк1. Величина различна для разных плоскостей (й/с/) и, очевидно, наименьшая для плоскостей спай79 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=