структуры, способ ствуя образованию дислокаций, ослабляют кристалл. С другой стороны, препятствуя свободному перемещению дислокаций, они упрочняют его. Проходя через препятствие (дефект структуры, атом примеси, включение, другая дислокация), дислокация вынуждена изгибаться, огибать препятствие подобно о— Теоретическая I прочность 1 Число деоректой 6 единице объема Рис. 57. Зависимость сопротивления деформации от числа дефектов, содержащихся в кристалле. Рис. 56. Схема прохождения линейной дислокации через препятствие. АВ — форма линейной “ вдали ствия I); постепенное искривление дислокации по мере приближения к препятствию В и замыкание образующейся петли за этим препятствием; А'В'— выпрямление линейной дислокации вдали за препятствием. дислокации от препят- 1, 2, 3 — петле и снова становиться прямолинейной (рис. 56). Это огибание сопровождается удлинением дислокации и усилением локального искажения структуры, на что требуется дополнительная затрата работы. Ясно, что кристалл на дефектном участке характеризуется значительно большим сопротивлением деформации, чем на участке с неискаженной структурой, особенно если учесть, что с ростом степени деформирования увеличивается число дислокаций, а также число препятствий, возникающих в местах их пересечений. Сильное тормозящее действие на дислокации оказывают границы блоков, границы зерен, крупные обособленные включения в решетке. Этот краткий анализ позволяет отразить влияние количества дефектов на прочность кристалла кривой, подобной изображенной на рис. 57. Точка р,. соответсвует такой плотности дислокаций, при которой сопротивление кристалла деформации минимально. Левая ветвь характеризует резкое увеличение прочности без87 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=