Юшкин Н.П. Топоминералогия

ней на кристалле соответствует числу пар граней данного и соседнего кристалла, находящихся в соприкосновении. Профиль псевдограни в перпендикулярном к ней разрезе представляет собой график изменения относительной скорости роста двух индивидов во времени, если, конечно, не происходило более поздней перестройки рельефа индукционной границы. Между индивидами, растущими с абсолютно одинаковыми скоростями, этот профиль будет прямолинейным. В. М. Хребтов и М. Д. Часовитин, анализируя механизм одновременного роста индивидов двух минералов на примере кварца и золота, аналитически определили условия формирования золотин различной крупности и формы. Следовательно, анализ взаимоотношений индивидов имеет и прикладное значение. Индукционные поверхности могут переходить в гранные плоскости или плоскости-отпечатки, это свидетельствует о прекращении совместного роста и дальнейшем одиночном росте одного из индивидов. Различные случаи подобного роста, который Б. В. Чесноков [57] называет частично одновременным, показаны на рис. 17. Критерии, последовательного роста минеральных индивидов основаны на анализе распределения центров их зарождения в пространстве и анализе границ между индивидами. Основной критерий последовательного минералообразования — это критерий нарастания и обрастания минералов: минерал А, нарастающий на минерал Б или обрастающий его, является, несомненно, более поздним. Если удастся найти положение центра зарождения нарастающего индивида (группы индивидов) на поверхности индивида-субстрата, то их относительный возраст можно считать безошибочно определенным. В более сложных случаях приходится проводить распиловку и анализировать анатомические особенности срастающихся индивидов. Некоторые примеры разновозрастных срастающихся индивидов показаны на рис. 18. Большое значение для определения относительного возраста минералов имеет анализ границ срастания. Границей срастания Рис. 17. Частично одновременный По Б. В. Чеснокову [76]. совместный пост А и индивидов Б. Показаны различные случаи соотношения роста: зачерненная часть большого кристалла образовалась до начала роста малого кристалла 7* 99 Коми научный центр Уро РАН

RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=