Напряжения вдоль осей х и у на оси симметрии 2 одинаковы: т — 1 / е = (оД = Ро— 7 аге!? «Л , Ро. а2 2? + 2 г2 + а2 ' На поверхности при г=0 т + 2 = (0#)г = 2т ' Р® Графически распределение напряжений по данным приведенных уравнений дано на рис. 61 (применительно к материалу с коэффициентом Пуассона около 0.3). В кристаллах, которые , ,обычно характеризуются т > 2, (ах)^ == (ау)г=0 ( Ро> поэтому в центре площадки смятия возникают касательные напряжения - °* ~ ц— 2 • На поверхности площадки смятия, в ее центре (аД, 0 = —р0, (°х)г=о —--- 7 Ро и касательное напряжение равно 4 — 5 Ро — (—Ро) 2 =о0.1р( (для материала р. = 0.).. Максимальные касательные напряжения характерны для объема тела на глубине от поверхности его по оси симметрии з=0.47ая» л»0.5 а. Здесь они достигают значения тМакс — 0-Зро, т. е. в три раза больше, чем на поверхности соприкосновения с индентором (рис. 61). Приведенная картина распределения напряжений проверена экспериментально поляризационно-оптическими методами , при вдавливании шарика в прозрачные пластмассы. При испытании кристаллических веществ индентором пирамидальной формы с углом при вершине 136° распределение напряжений по оси 2 совершенно аналогично разобранному выше. Однако поперечные разрезы поля напряжений не имеют форму круга: их симметрия складывается из симметрии индентора и симметрии испытываемой грани. Усложнение формы индентора изменяет картину распределения напряжений. Так, вдавливание наконечника с острыми углами вызывает резкую концентрацию напряженийуих вершин (рис. 62). Таким образом, при исследовании твердости микровдавливанием разрушение материала определяется двумя видами напря98 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=