внутренних напряжений (рис. 155). Скопления дислокаций генерируют сложенное из элементарных групповое поле внутренних напряжений, интенсивность и форма которого зависят от конституции кристалла, вида и распределения дислокаций. Интенсивность элементарных полей внутренних напряжений довольно высокая. Например, скачок напряжений около краевой дислоРис. 154. Трещины разрыва во внешней кристаллической зоне циркона, радиально расходящиеся от увеличивающегося в объеме метамиктного ядра (по Рамдору, 1962). Увел. 250. нации в кристалле рубина оценивается примерно в 1.7 кГ/мм2 (Индебом, Томиловский, 1957). Дислокации могут возникать в процессе роста кристаллов, их поля напряжений в таком случае рассматриваются как первичные, сингенетичные кристаллу. Основная масса «первичных» дислокаций заимствуется минеральным индивидом от затравки, кроме того, на поверхности затравки или того субстрата, на котором индивид растет, по неясным пока причинам (возможно, вследствие структурной несовместимости минерального индивида и субстрата) происходит спонтанное зарождение дислокаций, переходящих в растущий кристалл. Скопления дислокаций контролируются твердыми, жидкими и газообразными включениями, неравномерно распределенными изоморфными примесями, границами 250 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=