двойников роста, блоков мозаики, регенерирующимися трещинами и другими дефектами. Последующие химические и физические воздействия на минерал могут вызвать перераспределение дислокаций, их размножение, зарождение новых, определяя изменчивость поля внутренних напряжений, связанных с дислокациями. Это оказывает существенное влияние и на механическую историю минерала. Например, повышение температуры вызывает массовое передвижение дислокаций из плоскостей скольжения в более равновесные конфигурации — вертикальные стенки. Происходящее при этом сложение элементарных полей дислокационных напряжений в локальных Рис. 155. Поля напряжений вокруг дислокаций. областях лежит в основе механизма образования переориентированных областей (блоков полигонизации), не связанных с механическими воздействиями. Поверхностное давление. Как фактор напряженного состояния кристалла поверхностное давление наиболее детально рассмотрено А. А. Черновым(1958). Оно определяется физико-химическими особенностями среды и физическими и геометрическими свойствами поверхности кристалла. В кристалле равновесной формы поле напряжений, вызванное поверхностным давлением, изотропно, что соответствует минимуму поверхностной энергии кристалла и раскрывает термодинамическую устойчивость равновесной формы. Если же форма кристалла отличается от равновесной, то величина поверхностного давления имеет разные значения для разных граней, а поле напряжений анизотропно. Стремление кристалла к достижению равновесной формы требует изотропизации поля напряжений, т. е. равенства поверхностного давления для всех граней, что должно изменять температуру кристаллизации Т или 251 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=