щих напряжений с осью, совпадающей с направлением силы Р и образующей угол в 45° (конус оптимального угла скалывания). Сила, которую надо приложить к кристаллу для достижения критического скалывающего напряжения, определяется формулой СОЗ <Р СОЗ ф ' Скольжение происходит по серии системы, удаленных друг от друга на стояния (пачки скольжения), причем те части, которые лежат между этими пачками, почти не подвергаются деформации. Обычно около точки приложения сосредоточенной нагрузки можно наблюдать три области с различной плотностью реализованных плоскостей скольжения: а) центральную, имеющую вид «облака», где линии выходов на грань плоскостей скольжения трудно выделить даже при больших увеличениях; б) область с хорошо видимыми разделенными линиями скольжения и в) внешнюю область с редкими линиями скольжения. Плотность плоскостей ния убывает также и вглубь от точки приложения силы на поверхности кристалла. Понятие о дислокациях и дислокационный механизм скольжения. Для объяснения механизма трансляционного скольжения долгое время привлекался жесткий сдвиг или модель напильника, разработанная Я. И. Френкелем. По происходит путем жесткого смещения ' одной части кристалла относительно другой сразу по всей плоскости скольжения (рис. И). Связь между смещением и напряжением в первом приближении описывается следующей зависимостью: параллельных плоскостей очень незначительные расскольжеРис, тягивающей лывающую компоненты скольжения 10. Разложение рас " силы иа ска11 нормальную и система в кристалле. этой модели скольжение ЪС 2тсж где г — сопротивление сдвигу; Ь — межатомное расстояние в направлении сдвига; д, — расстояние между атомными плоскостями; О — модуль сдвига, равный в кубических кристаллах упругой постоянной С44 при смещении плоскостей {100} в направлениях [1001; х — смещение атомов от положения равновесия. 3 Н. П. Юшкин 33 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=