линией (рис. 16), различные участки которой образуют разные углы с вектором Бюргерса Ь. Те участки смешанной дислокации, которые перпендикулярны Ь, являются краевыми дислокациями, параллельные Ь — винтовыми. Остальные участки можно считать частично краевыми и винтовыми. В последние годы благодаря развитию экспериментальной техники, в первую очередь электронномикроскопической, оказалось возможным проводить прямые наблюдения дислокаций (Амелинкс, 1968). Непосредственное наблюдение атомных плоскостей осуществляется электронномикроскопическим просвечиванием тонкой кристаллической пленки-фольги. На снимках ряда веществ оказываются видимыми следы плоскостей, .. в которых располагаются атомы. X. Приведенное на рис. 17, а схема- х. тическое изображение электронномикроскопического снимка пленки / ____ платинового фталоцианина показы- / / вает наличие экстраплоскости Б— / = 12А. Подготовка кристаллических X. пленок толщиною порядка 5000А, X. прозрачных для электронов, произ- х/^ водится химической или электроли- рис. 16. Схема криволинейной тической полировкой вырезанных из смешанной дислокации, образца пластинок толщиною 0.10— 0.15 мм. В ряде случаев удается реализовать предсказанную А. В. Шубниковым (1940) возможность наблюдения дислокаций по картине муара, образующейся при наложении с небольшим углом поворота двух кристаллических пластинок (взаимное наложение искаженной и неискаженной кристаллических решеток). Очень эффективен метод декорирования. Он основан на том, что элементарную дислокацию, несмотря на ее ничтожные размеры, можно сделать видимой введением и осаждением на дислокациях примесей. Наблюдение производится под микроскопом с иммер- сионно-масляным объективом при большом окулярном увеличении. Методика декорирования детально изложена в статье С. Аме- линкса (1960). Фотография декорированного кристалла корунда с неправильной сеткой дислокаций и пример замкнутой петли приведены на рис. 17, б, в. Однако наиболее быстро и показательно дислокации в кристалле могут быть выявлены методом травления. Специально подобранные травители воздействуют в первую очередь на участки с наиболее сильно искаженной решеткой, так как атомы в них, обладая избыточной энергией, химически более активные. Эти участки и являются выходами дислокаций на грани кристалла. Они служат зародышами ямок травления (рис. 17, г. д'). На особенностях метода травления мы еще раз более детально остановимся в главе III. 37 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=