Если дополнительная плоскость вводится в верхнюю часть решетки, как это изображено на рис. 13, дислокация считается положительной, если в нижнюю часть — отрицательной. Под единичной дислокацией понимают дислокацию, у которой параметр Ь равен постоянной решетки, прохождение такой дислокации через сечение кристалла вызывает смещение его частей на величину Ь. М Рис. 13. Расположе Рис. 14. Сдвиг, создающий винтовую дислокацию АО. Стрелки — направление перемещений дислокаций. ние атомов в плоскости, перпендикулярной краевой дислокации. Окружностью ограничена область, в которой атомы смещены из положения равновесия. Винтовые дислокации иллюстрируются рис. 14. Этот вид дислокаций образуется границей АБ между смещенной и не смещенной частями плоскости в том случае, если эта граница параллельна вектору сдвига Ь. В области этой границы атомы верхРис. 15. Расположение атомов в винтовой дислокации. ней плоскости смещены относительно атомов нижней плоскости тем сильнее, чем дальше они отстоят от границы АБ, которая является осью дислокации. Перемещение от одного атома к другому в области винтовой дислокации происходит по винтовой линии (рис. 15); по направлению винта различают соответственно правую и левую винтовые дислокации. Шаг винта может составлять от одного до нескольких межатомных расстояний на один оборот. Криволинейные смешанные дислокации характеризуются тем, что область сдвига ограничивается кривой 36 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=