речие между теоретической и практической прочностью кристалла на сдвиг, возникающее при анализе «модели напильника». Однако, если через кристалл пройдет одна дислокация, она, во-первых, сдвинет его части лишь на одно межатомное расстояние, а во-вторых, даже прохождение всех имеющихся в кристалле дислокаций привело бы к их истощению, т. е. к переводу кристалла в совершенное состояние. Это противоречит опыту, так как с ростом степени деформации, наоборот, искажение решетки растет, а следовательно, растет и плотность дислокаций. Смещение частей кристалла по одной плоскости скольжения оказывается в 102—103 раз больше межатомного расстояния. В настоящее время принято считать, что трансляционное скольжение можно рассматривать как результат прохождения вдоль плоскостей скольжения большого количества одинаковых дислокаций, генерирующихся в процессе пластической деформации под действием внешних сил, приложенных к кристаллу. Механизм генерирования дислокаций путем размножения «закрепленной дислокации», предложенный в 1950 г. Ф. Франком и В. Ридом, носит название источника Франка—Рида (Кеай, 1953). Источником Франка—Рида служит отрезок дислокации ББ' (рис. 20, а), закрепленный на концах скоплениями примесей, узлами дислокационных сеток и т. п. Этот отрезок не может скользить в плоскости скольжения параллельно самому себе, когда к кристаллу приложено внешнее напряжение, он выгибается в дугу (рис. 20, б). Если дислокация принимает форму полуокружности, то постоянно растущее напряжение достигает максимального значения, а сама такая дислокация будет частично винтовой, частично краевой, но на большей части — смешанного типа. В дальнейшем дислокационная петля развивается уже самопроизвольно путем образования двух спиралей (рис. 20, в). Спирали в процессе своего развития встречаются (рис. 20, г), и это приводит к разделению дислокации на две. Внешняя дислокация замыкается вокруг начальной в виде наружной окружности, а внутренняя занимает первоначальное положение ББ' (рис. 20, д). Наружная дислокация производит сдвиг на параметр решетки, а внутренняя под действием того же приложенного напряжения вновь выгибается, генерируя новую дислокацию. И так дислокация размножается до тех пор, пока не будет снято внешнее напряжение или пока противодействующие поля напряжений от порожденных дислокаций не превысят внешнее напряжение, действующее на источник (когда генерированные дислокации «душат» свой источник). А. А. Предводителев и др. (1967) показали, что размножение дислокаций возможно лишь при напряжениях, превышающих предел текучести материала, хотя движение их может происходить и при меньших напряжениях. Предел текучести, таким образом, соответствует тому напряжению, при котором преодолеваются практически все потенциальные барьеры пластической деформации. 41 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=