когерентные границы являются источниками разрушения в двойникованных кристаллах и плоскостями отдельности. В случае очень высоких напряжений первого рода в кристалле может появиться дополнительная деформированная область, примыкающая к двойниковой прослойке со стороны некогерентной границы (рис. 28). Иногда эти области появляются как со стороны некогерентной, так и когерентной границы (рис. 29). Решетка в дополнительных деформированных областях повернута относительно исходной ориентировки на значительно меньшие углы, чем Рис. 30. Получение механического двойника кальцита. Рис. 29. Схема сопряжения двойниковых границ с основным кристаллом при помощи полос аккомодации (по Классен-Неклюдовой, 19606). 1 — исходный кристалл цинка; 2 — двойниковая прослойка; 3 — две полосы аккомодации со стороны некогерентной границы и одна полоса, примыкающая к когерентной границе; система параллельных линий, меняющих направление в прослойке и примыкающих полосах — следы плоскостей базиса. при двойниковании, их границы имеют иррациональные индексы. Д. Джилсон (Л1- 1зоп, 1950) назвал эти области полосами аккомодации (приспособления), считая причиной их образования приспособление ориентировки решетки исходного кристалла к решетке двойникового субиндивида. Отметим, что помимо полос аккомодации, параллельных границам двойниковых прослоек, иногда устанавливаются аналогичные области, перпендикулярные и наклонные к границам двойников. Рассмотрим особенности течения процесса двойникования. Как известно, механические двойники можно получить, прилагая к кристаллу концентрированную нагрузку (рис. 30), электрический пробой, деформируя кристаллы растяжением, сжатием, изгибом. Во всех случаях надо так ' ориентировать кристалл относительно линии действия силы, чтобы исключить или затруднить деформацию скольжением. Двойникование хрупких кристаллов осуществляется в условиях высокого всестороннего сжатия. Процесс механического двойникования протекает в несколько стадий (Гарбер, 1947; Классен-Неклюдова, 19606). В первую начальную стадию деформации решетка кристалла деформируется упруго, и зависимость деформации от напряжения подчиняется закону Гука. Это собственно стадия упругой деформации. 60 Коми научный центр Уро РАН
RkJQdWJsaXNoZXIy MjM4MTk=